揚(yáng)杰科技近日推出了杰冠微自產(chǎn)1200V 120mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品，包括TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三種封裝。在追求極致能效與系統(tǒng)緊湊化的電力電子設(shè)計(jì)中，完美平衡了導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)性能，專(zhuān)為替代傳統(tǒng)硅基超結(jié)MOSFET而生。

憑借SiC材料的物理特性，該器件擁有極低的寄生電容和極快的開(kāi)關(guān)速度。其體二極管具備極低的反向恢復(fù)電荷（Qrr），能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，使電源系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)高頻化設(shè)計(jì)，大幅提升功率密度。
支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫工作環(huán)境。相比同等規(guī)格的硅器件，它能大幅減少散熱器體積，甚至在部分低功率密度設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)無(wú)風(fēng)扇散熱，降低了系統(tǒng)整體成本。