揚杰科技最新推出了一系列用于PD電源的N100V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。

1.采用最新優化的SGT工藝, 產品內阻低，開關特性優異；
2.采用PDFN5*6-8L 封裝，適用于PD電源同步整流應用；
3.針對電源應用的各種工作狀態, 優化MOS產品EAS能力，提高產品的可靠性。