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N100V MOSFET：給PD電源安排“低耗抗造”超頂內(nèi)核~
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 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用最新優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)異；
2.采用PDFN5*6-8L 封裝，適用于PD電源同步整流應(yīng)用；
3.針對(duì)電源應(yīng)用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力，提高產(chǎn)品的可靠性。
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